ИССЛЕДОВАНИЕ ДИОДОВ С РАЗНЫМ ТИПОМ ПРОВОДИМОСТИ НА ПРЕДМЕТ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ В КАЧЕСТВЕ ТЕРМОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА ДЛЯ КМОП КНИ 0,24 МКМ
STUDY OF DIODES WITH DIFFERENT TYPES OF CONDUCTIVITY FOR RADIATION STABILITY AS A TEMPERATURE-SENSITIVE ELEMENT FOR CMOS SOI 0.24 ΜM
Авторы: Гущин Владимир Олегович, Костандов Арман Константинович
Степень (должность): Аспирант; Магистрант
Место учебы/работы: Национальный исследовательский университет Московский институт электронной техники
Аннотация на русском языке: В статье описано исследование влияния дозы рентгеновского излучения на стабильность диодов p и n типа проводимости. Данное исследование проводилось с целью использования диодов в качестве термочувствительного элемента- датчика температуры.

The summary in English:
The paper describes the study of phenomenological problems in the field of radiation safety. This study was carried out with the aim of using diodes as a thermosensitive element, a temperature sensor.

Ключевые слова: КМОП, КНИ, радиация, температура, температурный датчик, диод.
Key words: CMOS, SOI, radiation, temperature, temperature sensor, diode.

Следующей может быть Ваша статья!

Контактная информация
E-mail: info@synergy-journal.ru
Группа Вконтакте: vk.com/synergy_journal

© 2016 Электронный журнал "Синергия Наук".
Любое использование размещённых на сайте журнала статей и материалов возможно только с обязательной ссылкой на сайт журнала
«synergy-journal.ru» и автора статьи.
Made on
Tilda