ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ОЦЕНКА ТЕПЛОВОЙ ПОСТОЯННОЙ ВРЕМЕНИ IGBT ТРАНЗИСТОРОВ С ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТРОТЕПЛОВОЙ МОДЕЛИ
THEORETICAL EVALUATION OF THERMAL CONSTANT TIME OF IGBT TRANSISTORS WITH THE ELECTRIC HEAT MODEL
Авторы: Киреев Константин Валерьевич, Карпунин Павел Юрьевич
Степень (должность): Студенты
Место учебы/работы: ФГБОУ ВО «МГУ им. Н. П. Огарёва»
Аннотация на русском языке: При разработке силовых преобразователей обязательным является расчёт потерь мощности и температуры нагрева кристалла. В настоящее время всё более популярными становятся экспресс методы измерения температуры кристалла, которые позволяют оценить температуру кристалла по корреляционным параметрам. В работе рассмотрен алгоритм теоретической оценки тепловой постоянной времени.

The summary in English:
It is necessary to calculate the power losses and the temperature of the crystal heating in the development of power converters. Nowadays, more and more popular are the rapid methods of measuring the crystal temperature, which allow us to estimate the temperature of the crystal from the correlation parameters. The algorithm of the theoretical estimation of the thermal time constant is considered in this work.

Ключевые слова: тепловая постоянная времени, электротепловая модель, силовой транзистор.
Key words: thermal time constant, electrothermal model, power transistor.
Выходные данные: Киреев К.В., Карпунин П.Ю. Теоретическая оценка тепловой постоянной времени IGBT транзисторов с помощью электротепловой модели // Синергия наук. 2018. № 21. − С. 561-568. − URL: http://synergy-journal.ru/archive/article1956

Следующей может быть Ваша статья!

Контактная информация
E-mail: info@synergy-journal.ru
Группа Вконтакте: vk.com/synergy_journal

© 2016 Электронный журнал "Синергия Наук".
Любое использование размещённых на сайте журнала статей и материалов возможно только с обязательной ссылкой на сайт журнала
«synergy-journal.ru» и автора статьи.
Made on
Tilda