Аннотация на русском языке: Интерес к получению пористого кремния связан, в первую очередь с перспективностью создания на его основе оптоэлектронных устройств по единой кремниевой технологии. Нанокристаллический кремний, полученный анодным травлением в растворах плавиковой кислоты, обладает фотолюминесценцией в области видимого диапазона. Поэтому на его основе можно создавать оптоэлектронные приборы различного назначения: фотоприемники, излучатели, светодиоды и др. Развитая регулируемая поверхность пористого кремния делает его перспективным для создания сверхчувствительных газовых, жидкостных сенсоров и микротопливных элементов.

The summary in English: Interest in obtaining porous silicon is connected, first of all, with the prospect of creating on its basis optoelectronic devices using a single silicon technology. Nanocrystalline silicon obtained by anodic etching in solutions of hydrofluoric acid has photoluminescence in the visible range. Therefore, it is possible to create optoelectronic devices for various purposes: photodetectors, radiators, light-emitting diodes, etc. The developed controlled surface of porous silicon makes it promising for the creation of ultrasensitive gas, liquid sensors and microfuel elements.

Ключевые слова: пористый кремний, анодное травление, структура, фотолюминисценция.
Key words: porous silicon, anodic etching, structure, photoluminescence.